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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches
Autor: | |
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ISBN-Nummer: |
Detailangaben zum Buch - Tunneling Field Effect Transistor Technology
EAN (ISBN-13): 9783319316536
ISBN (ISBN-10): 3319316532
Erscheinungsjahr: 2016
Herausgeber: Springer-Verlag GmbH
Buch in der Datenbank seit 2016-08-16T03:34:22+02:00 (Berlin)
Detailseite zuletzt geändert am 2024-03-29T16:19:57+01:00 (Berlin)
ISBN/EAN: 9783319316536
ISBN - alternative Schreibweisen:
3-319-31653-2, 978-3-319-31653-6
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Titel des Buches: the field, tunnel, transistor, tunneling
Daten vom Verlag:
Autor/in: Lining Zhang; Mansun Chan
Titel: Tunneling Field Effect Transistor Technology
Verlag: Springer; Springer International Publishing
213 Seiten
Erscheinungsjahr: 2016-04-09
Cham; CH
Sprache: Englisch
96,29 € (DE)
99,00 € (AT)
118,00 CHF (CH)
Available
IX, 213 p. 147 illus., 122 illus. in color.
EA; E107; eBook; Nonbooks, PBS / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Schaltkreise und Komponenten (Bauteile); Verstehen; Carbon Nanotube TFETs; Low Power SRAM Design; MOSFETs; Nanoscaled Field Effect Transistors; Nanowire Field Effect Transistors; TFETs; Tunneling Field Effect Transistors; B; Electronic Circuits and Systems; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Engineering; Elektronik; BB
This book provides a single-source reference to the state-of-the art in tunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETs physics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process and the important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit designs for power efficiency. · Provides comprehensive reference to tunneling field effect transistors (TFETs); · Covers all aspects of TFETs, from device process to modeling and applications;· Enables design of power-efficient integrated circuits, with low power consumption TFETs.comprehensive reference to tunneling field effect transistors (TFETs) all aspects of TFETs, from device process to modeling and applications Enables design of power-efficient integrated circuits, with low power consumption TFETs
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