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Charged Device Model (Cdm) Esd in Ics: Physics, Modeling, and Circuit Simulation (Series in microelectronics) - Taschenbuch

ISBN: 386628067X

Paperback, [EAN: 9783866280670], Hartung-Gorre Verlag, English, English, English, Hartung-Gorre Verlag, Book, Hartung-Gorre Verlag, Hartung-Gorre Verlag, 1025612, Subjects, 349777011, Ant… Mehr…

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Charged Device Model (Cdm) Esd in Ics: Physics, Modeling, and Circuit Simulation (Series in microelectronics) - Taschenbuch

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2006, ISBN: 9783866280670

Taschenbuch

Hartung-Gorre, Taschenbuch, Auflage: 1., 234 Seiten, Publiziert: 2006-06-20T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, Verkaufsrang: 58443, Physik, Naturwissenschaften & Technik, Kategorien, Bücher,… Mehr…

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2006, ISBN: 9783866280670

Taschenbuch

Hartung-Gorre, Taschenbuch, Auflage: 1., 234 Seiten, Publiziert: 2006-06-20T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, Physik, Naturwissenschaften & Technik, Kategorien, Bücher, Hartung-Gorre, 2006

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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches

Details zum Buch

Detailangaben zum Buch - Charged Device Model (CDM) ESD in ICs: Physics, Modeling, and Circuit Simulation (Series in Microelectronics)


EAN (ISBN-13): 9783866280670
ISBN (ISBN-10): 386628067X
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2006
Herausgeber: Hartung-Gorre

Buch in der Datenbank seit 2007-06-17T11:17:48+02:00 (Berlin)
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ISBN/EAN: 386628067X

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-86628-067-X, 978-3-86628-067-0
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Titel des Buches: microelectronic circuit, charged device model cdm esd ics physics modeling and circuit simulation series microelectronics


Daten vom Verlag:

Autor/in: Melanie Etherton
Titel: Series in Microelectronics; Charged Device Model (CDM) ESD in ICs: Physics, Modeling, and Circuit Simulation
Verlag: Hartung-Gorre
234 Seiten
Erscheinungsjahr: 2006-06-20
Sprache: Englisch
64,00 € (DE)
65,80 € (AT)
125,20 CHF (CH)
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BC; KART; Hardcover, Softcover / Physik, Astronomie/Elektrizität, Magnetismus, Optik; Elektrizität, Magnetismus und Elektromagnetismus; Physik; Elektrostatische Entladung; Schaltungssimulation; ESD; Halbleiter


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