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Optische Eigenschaften hochangeregter Nitrid-Halbleiter - Holst, Jens C.
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Holst, Jens C.:
Optische Eigenschaften hochangeregter Nitrid-Halbleiter - Taschenbuch

ISBN: 9783896853646

[ED: Softcover], [PU: Wissenschaft & Technik / Wissenschaft + Technik Ve], Group-III Nitrides are the new basic material for a whole new generation of optoelectronic devices, operating from the ultraviolett to the red spectral range. Their properties make them extremly interesting for applications such as light-emitting diodes or laser diodes, for high-power electronics and UV-detectors. Despite these technical advances the basic physics of this material system remained barely understood. Fundamental issues like the origin of the emission processes and the mechanisms of optical amplification are still subject of discussion. Therefore, the main focus of this work is the systematic investigation of processes concerning the emission and lasing in group-III nitrides. These investigations comprehend the basic material GaN as well as its alloys, AlGaN and InGaN. Excitonic processes like the biexciton decay, inelastic exciton-exciton- and free-carrier-scattering represent the fundamental mechanisms of optical gain in hexagonal and cubic GaN epitaxial layers. The recombination and gain processes of the cubic phase of GaN and its alloys were investigated for the first time. Furthermore, this work contains a systematic study of the optical amplification of AlGaN epitaxial layers. From experiments on AlGaN/GaN quantum well structures it was shown, that the magnitude and direction of polarization fields determine the emission wavelength. This quantum-confined Stark effect is the origin of increased threshold values for lasing. From pump & probe experiments an excellent agreement with investigations on optical amplification by means of variation-of-stripelength-method were obtained. In this work it was evidenced that localization of carriers in low-dimensional structures is the driving force for optical amplification in InGaN-based devices. The optical properties under high excitation as well as the lasing processes are dominated by transitions from localized carriers, which was also confirmed by intensity-dependent pump & probe measurements. From all these results an explanation was given for the high-efficiency of InGaN-based devices. The mechanism of carrier localization prevails the detrimental influence of strong piezo-electric fields. 140 Seiten - 21 x 15 cm Sofort lieferbar, DE, [SC: 0.00], Neuware, gewerbliches Angebot, offene Rechnung (Vorkasse vorbehalten)

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Optische Eigenschaften hochangeregter Nitrid-Halbleiter (Berlin studies in solid state physics) - Jens Ch Holst, C Thomsen, D Bimberg, M Dähne
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Jens Ch Holst, C Thomsen, D Bimberg, M Dähne:
Optische Eigenschaften hochangeregter Nitrid-Halbleiter (Berlin studies in solid state physics) - gebrauchtes Buch

ISBN: 3896853643

Broschiert, [EAN: 9783896853646], Wissenschaft & Technik, Wissenschaft & Technik, Book, [PU: Wissenschaft & Technik], Wissenschaft & Technik, 560346, Halbleiter, 290888, Elektrotechnik, 290520, Ingenieurwissenschaften, 288100, Fachbücher, 541686, Kategorien, 186606, Bücher, 290909, Optik, 290888, Elektrotechnik, 290520, Ingenieurwissenschaften, 288100, Fachbücher, 541686, Kategorien, 186606, Bücher, 295009, Festkörper, 290523, Physik & Astronomie, 288100, Fachbücher, 541686, Kategorien, 186606, Bücher

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Broschiert, [EAN: 9783896853646], Wissenschaft & Technik, Wissenschaft & Technik, Book, [PU: Wissenschaft & Technik], Wissenschaft & Technik, 560346, Halbleiter, 290888, Elektrotechnik, 290520, Ingenieurwissenschaften, 288100, Fachbücher, 541686, Kategorien, 186606, Bücher, 290909, Optik, 290888, Elektrotechnik, 290520, Ingenieurwissenschaften, 288100, Fachbücher, 541686, Kategorien, 186606, Bücher, 295009, Festkörper, 290523, Physik & Astronomie, 288100, Fachbücher, 541686, Kategorien, 186606, Bücher

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ID: 116320755

Optische Eigenschaften hochangeregter Nitrid-Halbleiter Optische Eigenschaften hochangeregter Nitrid-Halbleiter Buch (dtsch.) Bücher>Sachbücher>Naturwissenschaften & Technik>Physik, Wissenschaft + Technik Ve

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