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Michele Ghidotti:

Reliability Issues in Ultra-Scaled Flash Memories - Taschenbuch

2001, ISBN: 9783639293616

[ED: Taschenbuch], [PU: VDM Verlag Dr. Müller], Gebraucht - Sehr gut Als Mängelexemplar gekennzeichnete Retoure aus dem Handel mit mittleren Transportspuren.Der Versand erfolgt mit ordent… Mehr…

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Reliability Issues in Ultra-Scaled Flash Memories - Taschenbuch

2010, ISBN: 9783639293616

[ED: Taschenbuch / Paperback], [PU: VDM Verlag Dr. Müller], The constant improvements in the silicon technology have resulted in a continuous reduction of the electron devices feature siz… Mehr…

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Reliability Issues in Ultra-Scaled Flash Memories - neues Buch

ISBN: 9783639293616

The constant improvements in the silicon technology have resulted in a continuous reduction of the electron devices feature size. These technological developments strongly impact in devic… Mehr…

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Reliability Issues in Ultra-Scaled Flash Memories - Taschenbuch

2010, ISBN: 9783639293616

Erscheinungsdatum: 09/2010, Medium: Taschenbuch, Einband: Kartoniert / Broschiert, Titel: Reliability Issues in Ultra-Scaled Flash Memories, Autor: Ghidotti, Michele, Verlag: VDM Verlag, … Mehr…

Nr. 71776172. Versandkosten:, Next Day, DE. (EUR 0.00)
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Reliability Issues in Ultra-Scaled Flash Memories - Taschenbuch

2010, ISBN: 9783639293616

VDM Verlag Dr. Müller, 2010-09-19. Paperback. Good., VDM Verlag Dr. Müller, 2010-09-19

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Details zum Buch
Reliability Issues in Ultra-Scaled Flash Memories

The constant improvements in the silicon technology have resulted in a continuous reduction of the electron devices feature size. These technological developments strongly impact in device performance. One of the most important reliability issues in the last technological nodes is the Random Telegraph Noise (RTN). This is phenomenon affects the threshold voltage (VT) of the memory cell. A physics-based statistical model is presented and validated. Beyond the 60nm technology node, the granularity of the charge stored in the device is not more negligible and this fact influences the accuracy to perform the program operation. The statistical nature of the electrons injection into the floating gate spreads the VT distribution of the array cells. The feature size reduction affects negatively the distribution and it becomes more and more difficult to control the cell VT by the program algorithm. Another issue in sub-100nm technologies concerns the cell-to-cell interference. The VT loss displays a dependence on the program pattern of the adjacent cells. All these phenomena contribute all together to corrupt the data stored, causing the memory failure and thus the worn-out.

Detailangaben zum Buch - Reliability Issues in Ultra-Scaled Flash Memories


EAN (ISBN-13): 9783639293616
ISBN (ISBN-10): 3639293614
Gebundene Ausgabe
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2010
Herausgeber: VDM Verlag
180 Seiten
Gewicht: 0,286 kg
Sprache: eng/Englisch

Buch in der Datenbank seit 2009-05-02T01:28:21+02:00 (Berlin)
Detailseite zuletzt geändert am 2020-07-03T16:49:33+02:00 (Berlin)
ISBN/EAN: 9783639293616

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-639-29361-4, 978-3-639-29361-6


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