- 5 Ergebnisse
Kleinster Preis: € 29,00, größter Preis: € 135,54, Mittelwert: € 62,33
1
Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures Mobile Ions Effects on the Oxide Properties Hamid Bentarzi Buch Engineering Materials Englisch 2011 - Bentarzi, Hamid
Bestellen
bei booklooker.de
€ 74,90
Versand: € 0,001
Bestellen
Details beim Anbieter
gesponserter Link
Bentarzi, Hamid:

Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures Mobile Ions Effects on the Oxide Properties Hamid Bentarzi Buch Engineering Materials Englisch 2011 - gebunden oder broschiert

2011, ISBN: 9783642163036

[ED: Gebunden], [PU: Springer Berlin], This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) pro… Mehr…

Versandkosten:Versandkostenfrei, Versand nach Deutschland. (EUR 0.00) Buchbär
zuklappen (X)
2
Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
Bestellen
bei Indigo.ca
C$ 196,50
(ca. € 135,54)
Bestellen
Details und Versand
gesponserter Link
Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties - neues Buch

ISBN: 9783642163036

This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the de… Mehr…

new in stock. Versandkosten:zzgl. Versandkosten.
zuklappen (X)
3
Bestellen
bei booklooker.de
€ 29,00
Versand: € 3,501
Bestellen
Details beim Anbieter
gesponserter Link
Bentarzi, Hamid (Verfasser):
Transport in metal-oxide-semiconductor structures : mobile ions effects on the oxide properties. Engineering materials - gebunden oder broschiert

2011

ISBN: 9783642163036

[PU: Berlin ; Heidelberg : Springer], XIII, 104 S. : graph. Darst. Gr.-8°, gebundene Ausgabe Gebraucht: sehr guter Zustand. Contents: Introduction / The MOS STructure / The MOS Oxide and … Mehr…

Versandkosten: EUR 3.50 Antiquariat Bach & Koch Gbr
zuklappen (X)
4
Transport in metal-oxide-semiconductor structures : mobile ions effects on the oxide properties. Engineering materials - Bentarzi, Hamid (Verfasser)
Bestellen
bei ZVAB.com
€ 29,00
Versand: € 19,901
Bestellen
Details beim Anbieter
gesponserter Link
Bentarzi, Hamid (Verfasser):
Transport in metal-oxide-semiconductor structures : mobile ions effects on the oxide properties. Engineering materials - gebunden oder broschiert

2011, ISBN: 3642163033

[EAN: 9783642163036], Tweedehands, goed, [SC: 19.9], [PU: Berlin ; Heidelberg : Springer], MOS ; SILICIUMDIOXID IONENLEITUNG, PHYSIK, XIII, 104 S. : graph. Darst. Gebraucht: sehr guter Zu… Mehr…

NOT NEW BOOK. Versandkosten: EUR 19.90 Kepler-Buchversand Huong Bach, Weil der Stadt, Germany [55423487] [Beoordeling: 5 (van 5)]
zuklappen (X)
5
Transport in metal-oxide-semiconductor structures : mobile ions effects on the oxide properties. Engineering materials - Bentarzi, Hamid (Verfasser)
Bestellen
bei buchfreund.de
€ 29,00
Versand: € 3,501
Bestellen
Details beim Anbieter
gesponserter Link
Bentarzi, Hamid (Verfasser):
Transport in metal-oxide-semiconductor structures : mobile ions effects on the oxide properties. Engineering materials - gebunden oder broschiert

2011, ISBN: 9783642163036

XIII, 104 S. : graph. Darst. Gr.-8°, gebundene Ausgabe Gebraucht: sehr guter Zustand. Contents: Introduction / The MOS STructure / The MOS Oxide and its Defects / Review of Transport Mech… Mehr…

Versandkosten:Versandkosten innerhalb der BRD. (EUR 3.50) Kepler-Buchversand, 71263 Weil der Stadt
zuklappen (X)
1Da einige Plattformen keine Versandkonditionen übermitteln und diese vom Lieferland, dem Einkaufspreis, dem Gewicht und der Größe des Artikels, einer möglichen Mitgliedschaft der Plattform, einer direkten Lieferung durch die Plattform oder über einen Drittanbieter (Marketplace), etc. abhängig sein können, ist es möglich, dass die von eurobuch angegebenen Versandkosten nicht mit denen der anbietenden Plattform übereinstimmen.

Bibliographische Daten des bestpassenden Buches

Details zum Buch
Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
Autor:
Titel:
ISBN-Nummer:

9783642163036


This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.

Detailangaben zum Buch - Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties


EAN (ISBN-13): 9783642163036
ISBN (ISBN-10): 3642163033
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsjahr: 2011
Herausgeber: Springer Berlin
104 Seiten
Gewicht: 0,322 kg
Sprache: eng/Englisch

Buch in der Datenbank seit 2009-01-19T16:17:44+01:00 (Berlin)
Buch zuletzt gefunden am 2024-08-04T21:46:35+02:00 (Berlin)
ISBN/EAN: 9783642163036

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-642-16303-3, 978-3-642-16303-6
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: bent, hamid
Titel des Buches: transport, metal, structure, mobile, oxide

Daten vom Verlag:

Autor/in: Hamid Bentarzi
Titel: Engineering Materials; Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures - Mobile Ions Effects on the Oxide Properties
Verlag: Springer; Springer Berlin
106 Seiten
Erscheinungsjahr: 2011-01-16
Berlin; Heidelberg; DE
Gedruckt / Hergestellt in Niederlande.
Sprache: Englisch
106,99 € (DE)
109,99 € (AT)
118,00 CHF (CH)
POD
XIV, 106 p.

BB; Hardcover, Softcover / Technik/Maschinenbau, Fertigungstechnik; Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; Verstehen; Ingenieurwissenschaften; Ionic transport mechanism; MOS; Silicon dioxide; density distribution; Optical Materials; Semiconductors; Characterization and Analytical Technique; Condensed Matter Physics; Elektronische Geräte und Materialien; Werkstoffprüfung; Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik); BC

This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.
Reviewed state-of-the-art Comprehensive for students Improves the understanding of transport phenomena Includes supplementary material: sn.pub/extras

Weitere, andere Bücher, die diesem Buch sehr ähnlich sein könnten:

Neuestes ähnliches Buch:
9783642163043 Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures (Hamid Bentarzi)

< zum Archiv...