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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures - gebunden oder broschiert

2011, ISBN: 9783642163036

[ED: Hardcover], [PU: Springer, Berlin], Reviewing the state-of-the-art in the field, this volume describes the importance of mobile ions presented in oxide structures. The text defines t… Mehr…

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Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures Mobile Ions Effects on the Oxide Properties Hamid Bentarzi Buch Engineering Materials Englisch 2011 - gebunden oder broschiert

2011, ISBN: 9783642163036

[ED: Gebunden], [PU: Springer Berlin], This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) pro… Mehr…

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[ED: Gebunden], [PU: Springer Berlin], This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) pro… Mehr…

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2011, ISBN: 9783642163036

Erscheinungsdatum: 02/2011, Medium: Buch, Einband: Gebunden, Titel: Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures, Titelzusatz: Mobile Ions Effects on the Oxide Properties, Autor: Ben… Mehr…

Nr. 70522047. Versandkosten:, Next Day, DE. (EUR 0.00)
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2011, ISBN: 3642163033

Gebundene Ausgabe Festkörperphysik, Elektronik / Halbleiter, Halbleiter, Leitung (physikalisch) / Halbleiter, Arbeitsstoff, Material, Werkstoff, Chemie, Massenspektrometrie - Spektrometr… Mehr…

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Details zum Buch
Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures

This book focuses on the importance of mobile ions presented in oxide structures, what significantly affects the metal-oxide-semiconductor (MOS) properties. The reading starts with the definition of the MOS structure, its various aspects and different types of charges presented in their structure. A review on ionic transport mechanisms and techniques for measuring the mobile ions concentration in the oxides is given, special attention being attempted to the Charge Pumping (CP) technique associated with the Bias Thermal Stress (BTS) method. Theoretical approaches to determine the density of mobile ions as well as their distribution along the oxide thickness are also discussed. The content varies from general to very specific examples, helping the reader to learn more about transport in MOS structures.

Detailangaben zum Buch - Transport in Metal-Oxide-Semiconductor Structures


EAN (ISBN-13): 9783642163036
ISBN (ISBN-10): 3642163033
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsjahr: 2011
Herausgeber: Springer Berlin
104 Seiten
Gewicht: 0,322 kg
Sprache: eng/Englisch

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Detailseite zuletzt geändert am 2021-06-09T22:59:53+02:00 (Berlin)
ISBN/EAN: 9783642163036

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-642-16303-3, 978-3-642-16303-6


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