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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices - Zhiqiang Li
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Zhiqiang Li:

The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices - neues Buch

2016, ISBN: 366249681X

ID: 19576515153

[EAN: 9783662496817], Neubuch, [SC: 0.0], [PU: Springer-Verlag Gmbh Jul 2016], FESTKÖRPERPHYSIK; ELEKTRONIK / HALBLEITER; LEITUNG (PHYSIKALISCH) TECHNOLOGY & ENGINEERING ELECTRONICS SEMICONDUCTORS, Neuware - This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600 and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10-7 -cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node. 59 pp. Englisch

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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices - Zhiqiang Li
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Zhiqiang Li:

The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices - neues Buch

ISBN: 9783662496817

[ED: Buch], [PU: Springer-Verlag GmbH], Neuware - This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600 and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.810-7O.cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node., [SC: 0.00], Neuware, gewerbliches Angebot, 244x159x12 mm, [GW: 271g]

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ISBN: 9783662496817

[ED: Buch], [PU: Springer-Verlag GmbH], Neuware - This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600 and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.810-7O.cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node., [SC: 0.00], Neuware, gewerbliches Angebot, FixedPrice, [GW: 276g]

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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices - neues Buch

ISBN: 9783662496817

ID: f7969e0466feef28bcb563442c36dee3

This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With  adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600? and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10?7?•cm2, respectively. Besides, a reduced  source/drain parasitic resistance is demonstrated in the  fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node. Bücher / Naturwissenschaften, Medizin, Informatik & Technik / Technik / Elektronik & Elektrotechnik

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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices - Li, Zhiqiang
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Li, Zhiqiang:
The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices - gebunden oder broschiert

2016, ISBN: 366249681X

ID: A26370598

Gebundene Ausgabe Festkörperphysik, Elektronik / Halbleiter, Halbleiter, Leitung (physikalisch) / Halbleiter, TECHNOLOGY & ENGINEERING / Electronics / Semiconductors, mit Schutzumschlag neu, [PU:Springer-Verlag GmbH]

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Details zum Buch
The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Autor:

Zhiqiang Li

Titel:

The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices

ISBN-Nummer:

9783662496817

Detailangaben zum Buch - The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices


EAN (ISBN-13): 9783662496817
ISBN (ISBN-10): 366249681X
Gebundene Ausgabe
Erscheinungsjahr: 1
Herausgeber: Springer-Verlag Gmbh

Buch in der Datenbank seit 08.03.2016 20:29:30
Buch zuletzt gefunden am 09.03.2017 08:28:06
ISBN/EAN: 9783662496817

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-662-49681-X, 978-3-662-49681-7

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