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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Viktor Sverdlov
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Viktor Sverdlov:

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - neues Buch

2001, ISBN: 9783709103814

[ED: Buch], [PU: Springer-Verlag KG], Neuware - Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools req… Mehr…

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Sverdlov, Viktor:

Strain-induced Effects in Advanced MOSFETs - Erstausgabe

2010, ISBN: 9783709103814

Springer Nature, Copertina rigida, Auflage: 1st Edition. 252 Seiten, Publiziert: 2010-11-24T00:00:01Z, Produktgruppe: Libro, Hersteller-Nr.: 70 black & white illustrations, 50 black, 1.4 … Mehr…

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Sverdlov, Viktor:
Strain-induced Effects in Advanced MOSFETs - neues Buch

2010

ISBN: 9783709103814

Springer Verlag GmbH, Relié, Auflage: 2011 ed. 252 Seiten, Publiziert: 2010-11-24T00:00:01Z, Produktgruppe: Livre, Hersteller-Nr.: 70 black & white illustrations, 50 black, 1.4 kg, Scient… Mehr…

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Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs - Taschenbuch

2011, ISBN: 9783709103814

*Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs* - Auflage 2011 / gebundene Ausgabe für 160.49 € / Aus dem Bereich: Bücher, Wissenschaft, Technik Medien > Bücher nein Buch (gebunden) Hardcove… Mehr…

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Straininduced Effects in Advanced Mosfets Computational Microelectronics - gebunden oder broschiert

2011, ISBN: 9783709103814

Hardcover, PLEASE NOTE, WE DO NOT SHIP TO DENMARK. New Book from multilingual publisher. Shipped from UK within 4 to 14 days. Please check language within the description., [PU: Springer]

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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches

Details zum Buch
Strain-induced Effects in Advanced MOSFETs
Autor:
Titel:
ISBN-Nummer:

9783709103814


Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.

Detailangaben zum Buch - Strain-induced Effects in Advanced MOSFETs


EAN (ISBN-13): 9783709103814
ISBN (ISBN-10): 3709103819
Gebundene Ausgabe
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2010
Herausgeber: Springer Nature
252 Seiten
Gewicht: 0,633 kg
Sprache: eng/Englisch

Buch in der Datenbank seit 2011-04-09T21:17:05+02:00 (Berlin)
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ISBN/EAN: 9783709103814

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-7091-0381-9, 978-3-7091-0381-4
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: viktor
Titel des Buches: mosfet, mosfets, viktor, microelectronics

Daten vom Verlag:

Autor/in: Viktor Sverdlov
Titel: Computational Microelectronics; Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Verlag: Springer; Springer Wien
252 Seiten
Erscheinungsjahr: 2010-11-24
Vienna
Sprache: Englisch
160,49 € (DE)
164,99 € (AT)
177,00 CHF (CH)
Available
XIV, 252 p.

BB; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektronik; Verstehen; semiconductor devices; strain technique; transport modeling; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; EA; BC

Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given
comprehensive overview of strain techniques accurate description of strain induced modifications of the valence and conduction bands overview of transport modeling in strain devices Includes supplementary material: sn.pub/extras

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