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Experimentelle Und Theoretische Untersuchungen Der Degradation Von Ultradunnen Mos-Gatedielektrika - Kristian Hafkemeyer
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Experimentelle Und Theoretische Untersuchungen Der Degradation Von Ultradunnen Mos-Gatedielektrika - Taschenbuch

2011, ISBN: 3832527915

Paperback, [EAN: 9783832527914], Logos Verlag Berlin, Logos Verlag Berlin, Book, [PU: Logos Verlag Berlin], 2011-02-23, Logos Verlag Berlin, Diese Arbeit beschreibt experimentelle und ato… Mehr…

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2011, ISBN: 9783832527914

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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches

Details zum Buch
Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika
Autor:
Titel:
ISBN-Nummer:

9783832527914


Diese Arbeit beschreibt experimentelle und atomistische Simulationen zur Zuverlassigkeitsanalyse von integrierten MOS-Transistoren in einer 130nm CMOS-Technologie. Eine Teststruktur mit mehr als 1.024 Einzelelementen zur automatischen Erhebung einer grossen Statistik bezuglich der Analogeigenschaften der Transistoren wurde hergestellt. Zusatzlich zu den elektrischen Analysen des Transistors wurden atomistische Modelle des Dielektrikums aufgebaut, um mittels quantenchemischen Simulationen die Degradation naher zu untersuchen und die Simulationsdaten mit dem Experiment zu vergleichen.

Detailangaben zum Buch - Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika


EAN (ISBN-13): 9783832527914
ISBN (ISBN-10): 3832527915
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2011
Herausgeber: Logos Verlag Berlin

Buch in der Datenbank seit 2015-03-13T23:53:05+01:00 (Berlin)
Detailseite zuletzt geändert am 2018-03-25T17:27:42+02:00 (Berlin)
ISBN/EAN: 9783832527914

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-8325-2791-5, 978-3-8325-2791-4
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: hafkemeyer

Daten vom Verlag:

Autor/in: Kristian Hafkemeyer
Titel: Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika
Verlag: Logos Berlin
Erscheinungsjahr: 2011-02-23
Sprache: Deutsch
36,50 € (DE)
37,50 € (AT)
Not available, publisher indicates OP

BC; PB; Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik; Elektronik, Nachrichtentechnik; Elektrotechnik, Elektronik; Degradation; MOS-FET; Gatedielektrika; CMOS; Matrix-Teststrukturen; 2010; TU Hamburg-Harburg

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