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Effizienz von GaInN-Leuchtdioden: Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte: Science for systems - Markus Maier, Oliver Ambacher
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Markus Maier, Oliver Ambacher:

Effizienz von GaInN-Leuchtdioden: Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte: Science for systems - Taschenbuch

2010, ISBN: 3839601525

Perfect Paperback, [EAN: 9783839601525], Fraunhofer Irb Stuttgart, Fraunhofer Irb Stuttgart, Book, [PU: Fraunhofer Irb Stuttgart], 2010-08-01, Fraunhofer Irb Stuttgart, 1025612, Subjects,… Mehr…

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Effizienz von GaInN-Leuchtdioden: Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte. - Maier, Markus, Oliver Ambacher und Freiburg Fraunhofer IAF
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Maier, Markus, Oliver Ambacher und Freiburg Fraunhofer IAF:

Effizienz von GaInN-Leuchtdioden: Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte. - gebrauchtes Buch

2010, ISBN: 9783839601525

[PU: Fraunhofer Verlag], 8639152/1, DE, [SC: 0.00], gebraucht; sehr gut, gewerbliches Angebot, Banküberweisung, Kreditkarte, PayPal, Klarna-Sofortüberweisung, Internationaler Versand

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Effizienz von GaInN-Leuchtdioden: Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte: Science for systems - neues Buch

2010

ISBN: 9783839601525

Editor: Ambacher, Oliver, Fraunhofer Irb Stuttgart, Perfect Paperback, Publiziert: 2010-08-01T00:00:01Z, Produktgruppe: Book, Subjects, Books, Fraunhofer Irb Stuttgart, 2010

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Maier, Markus Herausgegeben Von Ambacher, Oliver; Maier, Markus; Ambacher, Oliver:
Effizienz Von Gainn-Leuchtdioden: Struktur Aktiver Schichten Unter Dem Einfluss Substratinduzierter Defekte: Diss. Hrsg.: Fraunhofer Iaf, Freiburg - Taschenbuch

2010, ISBN: 3839601525

[EAN: 9783839601525], Neubuch, [PU: Fraunhofer Verlag], German language. In Stock.

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Maier, Markus Herausgegeben Von Ambacher, Oliver; Maier, Markus; Ambacher, Oliver:
Effizienz Von Gainn-Leuchtdioden: Struktur Aktiver Schichten Unter Dem Einfluss Substratinduzierter Defekte: Diss. Hrsg.: Fraunhofer Iaf, Freiburg - Taschenbuch

2010, ISBN: 9783839601525

Fraunhofer Verlag, 2010. Paperback. New. German language., Fraunhofer Verlag, 2010

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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches

Details zum Buch
Effizienz von GaInN-Leuchtdioden: Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte: Science for systems
Autor:
Titel:
ISBN-Nummer:

9783839601525


Im Rahmen dieser Dissertation wird der Einfluss von den aktiven Bereich durchstoßenden Versetzungen auf die Lumineszenz-Eigenschaften von (AlGaIn)N-basierten Leuchtdioden mit Emissionswellenlängen um 400 nm untersucht. Der Schwerpunkt liegt dabei auf den sich aus einer reduzierten Versetzungsdichte ergebenden Möglichkeiten zur Variation des Schichtaufbaus des aktiven Bereichs und deren Einfluss auf das nicht-thermische Überrollen.

Detailangaben zum Buch - Effizienz von GaInN-Leuchtdioden: Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte: Science for systems


EAN (ISBN-13): 9783839601525
ISBN (ISBN-10): 3839601525
Gebundene Ausgabe
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2010
Herausgeber: Fraunhofer Irb Stuttgart
164 Seiten
Gewicht: 0,229 kg
Sprache: ger/Deutsch

Buch in der Datenbank seit 2010-08-28T17:03:56+02:00 (Berlin)
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ISBN/EAN: 9783839601525

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-8396-0152-5, 978-3-8396-0152-5
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Autor des Buches: ambacher, maier oliver, markus maier, fraunhofer
Titel des Buches: ich, defekt, schichten

Daten vom Verlag:

Autor/in: Markus Maier
Titel: Science for Systems; Effizienz von GaInN-Leuchtdioden: Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte.
Verlag: Fraunhofer Verlag
172 Seiten
Erscheinungsjahr: 2010-08-12
Stuttgart; DE
Gedruckt / Hergestellt in Deutschland.
Sprache: Deutsch
37,00 € (DE)
62,20 CHF (CH)
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zahlr. farb. Abb. u. Tab.

BC; Hardcover, Softcover / Physik, Astronomie/Elektrizität, Magnetismus, Optik; Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse; Physik; Fraunhofer IAF; Festkörperphysiker; Elektroingenieur; nicht-thermisches Überrollen; droop; Leuchtdiode; luminescence; light emitting diode; Lumineszenz; GaInN; doppelte Heterostruktur; double heterostructure; quantum well; MOCVD; LED; Elektrolumineszenz; Festkörperphysiker; Elektroingenieure

Im Rahmen dieser Dissertation wird der Einfluss von den aktiven Bereich durchstoßenden Versetzungen auf die Lumineszenz-Eigenschaften von (AlGaIn)N-basierten Leuchtdioden mit Emissionswellenlängen um 400 nm untersucht. Der Schwerpunkt liegt dabei auf den sich aus einer reduzierten Versetzungsdichte ergebenden Möglichkeiten zur Variation des Schichtaufbaus des aktiven Bereichs und deren Einfluss auf das nicht-thermische Überrollen.
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