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Pähler, Dietmar:

Rotational Grinding of Silicon Wafers - Dissertationsschrift - Taschenbuch

2010, ISBN: 9783940565549

[ED: Taschenbuch / Paperback], [PU: Apprimus Verlag], Obwohl das Rotationsschleifen essentieller Bestandteil moderner Prozessketten zur Fertigung monokristalliner Siliziumwafer mit Durchm… Mehr…

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Dietmar Pähler:

Rotational Grinding of Silicon Wafers : Dissertationsschrift - Taschenbuch

2010, ISBN: 3940565547

[EAN: 9783940565549], Neubuch, [PU: Apprimus Verlag Jun 2010], This item is printed on demand - Print on Demand Neuware - Obwohl das Rotationsschleifen essentieller Bestandteil moderner P… Mehr…

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Rotational Grinding of Silicon Wafers - neues Buch

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Rotational Grinding of Silicon Wafers - Dietmar Pähler
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2010, ISBN: 9783940565549

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Details zum Buch
Rotational Grinding of Silicon Wafers

Obwohl das Rotationsschleifen essentieller Bestandteil moderner Prozessketten zur Fertigung monokristalliner Siliziumwafer mit Durchmessern von derzeit bis zu 300 mm ist, gelten wesentliche Relationen zwischen den Prozessein- und -ausgangsgrößen beim Rotationsschleifen als nicht oder kaum erforscht. Dies ist insofern bedeutsam, als dass die beim Schleifen induzierten Kristallschädigungen den Endbearbeitungsaufwand durch kostspielige, umweltschädliche und die Wafergeometrie negativ beeinflussende Ätzund Polieroperationen festlegen. Ursache für die Kristallschädigungen sind komplexe mechanische und thermische Belastungen des Materials während des Werkzeugeingriffes. Deren Kenntnis ist daher nicht nur von wissenschaftlicher, sondern auch unter Qualitäts- und Wirtschaftlichkeitsaspekten von Bedeutung. Die Erfassung der lokalen Kontaktzonenkräfte und -temperaturen galt bis dato aber als unpraktikabel. Als Begründung hierfür wurde stets die Verfahrenskinematik mit sich drehendem Wafer und die für übliche Messmittel fehlende Zugänglichkeit der Kontaktzone genannt. Hieraus leitet sich der Forschungsbedarf dieser Arbeit ab. Nach Charakterisierung der Waferrandzone und auftretenden Zerspanmechanismen wird die noch unbekannte Verteilung der Kristallschädigungen auf dem geschliffenen Wafer bestimmt und eingehend analysiert. Zur Ermittlung der Prozesskraftverteilung in der Kontaktzone wird ein Drei-Komponenten Kraftsensor unter ein Segment einer Topfschleifscheibe appliziert; die Segmenteingriffsverhältnisse bleiben dabei unverändert. Das instrumentierte Werkzeug ermöglicht es, sowohl den Einfluss der Kristallorientierung als auch der Prozessparameter auf die Bearbeitungskräfte zu erforschen. Anschließend gelingt es erstmals, die während des Rotationsschleifens in der Kontaktzone auftretenden Bearbeitungstemperaturen zu bestimmen. Prüfstandsversuche unter Nutzung der hohen Transmissivität von Si im infraroten Wellenlängenbereich zeigen, dass über der gesamten Kontaktzone selbst kleine Temperaturgradienten hoch aufgelöst detektierbar sind. Hierauf aufbauend wird abschließend ein Konzept für ein industriell einsetzbares Chuck-basiertes System zur Messung der Kontaktzonentemperaturen beim Rotationsschleifen von Si-Wafern entwickelt.

Detailangaben zum Buch - Rotational Grinding of Silicon Wafers


EAN (ISBN-13): 9783940565549
ISBN (ISBN-10): 3940565547
Gebundene Ausgabe
Taschenbuch
Erscheinungsjahr: 2010
Herausgeber: Apprimus Wissenschaftsver
182 Seiten
Gewicht: 0,355 kg
Sprache: eng/Englisch

Buch in der Datenbank seit 2011-05-16T20:09:57+02:00 (Berlin)
Detailseite zuletzt geändert am 2020-07-21T20:40:54+02:00 (Berlin)
ISBN/EAN: 9783940565549

ISBN - alternative Schreibweisen:
3-940565-54-7, 978-3-940565-54-9


Daten vom Verlag:

Autor/in: Dietmar Pähler
Titel: Rotational Grinding of Silicon Wafers
Verlag: Apprimus Verlag
Erscheinungsjahr: 2010-06-16
Gedruckt / Hergestellt in Deutschland.
Gewicht: 0,150 kg
Sprache: Englisch
39,00 € (DE)
40,10 € (AT)
Available

BC; PB; Hardcover, Softcover / Technik/Maschinenbau, Fertigungstechnik; Maschinenbau und Werkstoffe; Verstehen; Silicon Wafers; Schleifen und Umformen; Fertigungstechnik


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