Daniel Gruner:HF-Leistungsverstärker in modernen Silizium- und Verbindungshalbleitern-Technologien
- Taschenbuch ISBN: 9783954042432
Diese Dissertation beschäftigt sich mit HF-Leistungsverstärkern auf Basis moderner Transistortechnologien und verfolgt aktuelle Trends im Bereich Silizium- und III-V-Verbindungshalbleiter… Mehr…
Diese Dissertation beschäftigt sich mit HF-Leistungsverstärkern auf Basis moderner Transistortechnologien und verfolgt aktuelle Trends im Bereich Silizium- und III-V-Verbindungshalbleiter. Dies umfasst den Entwurf von innovativen HF-Leistungstransistoren und -Verstärkern, Aspekte zur Charakterisierung und Aufbautechnik sowie den Vergleich zum aktuellen Stand von Wissenschaft und Technik. Im ersten Teil richtet sich der Fokus auf MMIC-Leistungsverstärker für 5-6-GHz-WLAN-Anwendungen. Hierbei wird zunächst auf den Entwurf eines Push-Pull-PAs in einer 0.25-?m-BiCMOS-Technologie eingegangen. Mit einer Betriebsspannung von lediglich 1.8 V zeigt dieser Verstärker ein breitbandiges Verhalten und erreicht im Frequenzbereich 5?6.2 GHz eine Sättigungsleistung von > 24 dBm. Der maximale Wirkungsgrad liegt bei ? = 27 % (PAE = 18 %) mit einer Verstärkung von typischerweise 9 dB. Um diese Performance weiter zu verbessern, wird eine innovative Transformer-Combining-Topologie vorgestellt. Im Vergleich zum Push-Pull-Verstärker kann diese eine erhöhte Verstärkung > 12 dB sowie einen exzellenten PAE-Maximalwert von 23 % bei sonst ähnlichen Eigenschaften erzielen. Als zweite Zielstellung wird die Steigerung der HF-Leistungs-Performance innerhalb moderner (Bi)CMOS-Technologien verfolgt. In diesem Rahmen stehen die Analyse, der Entwurf und die Evaluierung von LDMOS-Transistoren für Anwendungen bis in den 6-GHz-Bereich im Mittelpunkt. Der Einfluss von Transistorgrösse und -Geometrie sowie auch der Stabilitätsnetzwerke wird unter Verwendung HF-optimierter LDMOS-Strukturen untersucht. Die Evaluierung der Source/Load-Load-Pull-Messungen wird mit Hilfe mehrerer hybrider Verstärkermodule durchgeführt. Als eine der ersten Veröffentlichungen kann diese Arbeit eine 6-GHz-LDMOS-Implementation in einer Standard-BiCMOS-Technologie mit einer Ausgangsleistung von mehr als 1 W und einem Wirkungsgrad über 40 % demonstrieren. Der dritte Teil beschäftigt sich mit GaN-Doherty-Verstärkern für das 6-GHz-Band. Die Kombination von Doherty-Konzept mit Strategien zur Harmonischen-Terminierung, einem auf Device-Referenzebene optimierten Entwurf und der entwickelten Chip-&-Wire-Aufbautechnik erlaubt die Realisierung von einem der ersten 6-GHz-Doherty-Verstärker mit exzellenter Wirkungsgrad-, Leistungs- sowie Linearitäts-Performance. Unter Verwendung zweier GaN-Chip-Transistoren kann eine maximale Ausgangsleistung von 41.5 dBm mit einem maximalen Wirkungsgrad von 63 % erreicht werden. Im 6-dB-Backoff-Punkt wird dabei ein exzellenter Wirkungsgrad von 49 % erzielt. Bücher > Sachbücher > Naturwissenschaften & Technik > Ingenieurwissenschaft & Technik > Elektro- & Nachrichtentechnik;Bücher > Fachbücher > Ingenieurwissenschaften > Elektro- & Nachrichtentechnik 25.0 cm x 17.6 cm x 1.5 cm mm , Cuvillier Verlag, Taschenbuch, Cuvillier Verlag<
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Daniel Gruner:HF-Leistungsverstärker in modernen Silizium- und Verbindungshalbleitern-Technologien
- Taschenbuch 2001, ISBN: 9783954042432
[ED: Taschenbuch], [PU: Cuvillier], Neuware - Diese Dissertation beschäftigt sich mit HF-Leistungsverstärkern auf Basis moderner Transistortechnologien und verfolgt aktuelle Trends im Ber… Mehr…
[ED: Taschenbuch], [PU: Cuvillier], Neuware - Diese Dissertation beschäftigt sich mit HF-Leistungsverstärkern auf Basis moderner Transistortechnologien und verfolgt aktuelle Trends im Bereich Silizium- und III-V-Verbindungshalbleiter. Dies umfasst den Entwurf von innovativen HF-Leistungstransistoren und -Verstärkern, Aspekte zur Charakterisierung und Aufbautechnik sowie den Vergleich zum aktuellen Stand von Wissenschaft und Technik.Im ersten Teil richtet sich der Fokus auf MMIC-Leistungsverstärker für 5-6-GHz-WLAN-Anwendungen. Hierbei wird zunächst auf den Entwurf eines Push-Pull-PAs in einer 0.25-¿m-BiCMOS-Technologie eingegangen. Mit einer Betriebsspannung von lediglich 1.8 V zeigt dieser Verstärker ein breitbandiges Verhalten und erreicht im Frequenzbereich 5¿6.2 GHz eine Sättigungsleistung von > 24 dBm. Der maximale Wirkungsgrad liegt bei ¿ = 27 % (PAE = 18 %) mit einer Verstärkung von typischerweise 9 dB. Um diese Performance weiter zu verbessern, wird eine innovative Transformer-Combining-Topologie vorgestellt. Im Vergleich zum Push-Pull-Verstärker kann diese eine erhöhte Verstärkung > 12 dB sowie einen exzellenten PAE-Maximalwert von 23 % bei sonst ähnlichen Eigenschaften erzielen., DE, [SC: 25.00], Neuware, gewerbliches Angebot, 250x176x15 mm, 266, [GW: 493g], Banküberweisung, PayPal, Internationaler Versand<
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Gruner, Daniel:HF-Leistungsverstärker in modernen Silizium- und Verbindungshalbleitern-Technologien
- Erstausgabe 2012, ISBN: 9783954042432
Taschenbuch
Cuvillier Verlag, Taschenbuch, Auflage: 1., 266 Seiten, Publiziert: 2012-11-01T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, Hersteller-Nr.: 36812949, 1.08 kg, Verkaufsrang: 4104147, Hardware & Technik… Mehr…
Cuvillier Verlag, Taschenbuch, Auflage: 1., 266 Seiten, Publiziert: 2012-11-01T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, Hersteller-Nr.: 36812949, 1.08 kg, Verkaufsrang: 4104147, Hardware & Technik, Computer & Internet, Kategorien, Bücher, Elektrotechnik, Ingenieurwissenschaft & Technik, Naturwissenschaften & Technik, Taschenbücher, acc906d0-2585-4921-a56f-3ff277850936_4201, acc906d0-2585-4921-a56f-3ff277850936_0, Special Features Stores, Arborist Merchandising Root, Cuvillier Verlag, 2012<
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- neues Buch 2012, ISBN: 3954042436
Kartoniert / Broschiert Elektrotechnik, mit Schutzumschlag 11, [PU:Cuvillier; Cuvillier Verlag]
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