Numerische Simulation von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren unter besonderer Berücksichtigung des elektronischen Rauschens - Taschenbuch
ISBN: 3826599187
Taschenbuch, [EAN: 9783826599187], Shaker Verlag GmbH, Shaker Verlag GmbH, Book, [PU: Shaker Verlag GmbH], Shaker Verlag GmbH, 290916, Transistoren, 560292, Bauelemente, 290888, Elektrote… Mehr…
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Numerische Simulation von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren unter besonderer Berücksichtigung des elektronischen Rauschens. - Taschenbuch
ISBN: 9783826599187
[PU: Shaker], 176 S. PaperbackBuch wie neu., [SC: 2.40]
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Stefan Decker:
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Bibliographische Daten des bestpassenden Buches
Detailangaben zum Buch - Numerische Simulation von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren unter besonderer Berücksichtigung des elektronischen Rauschens
EAN (ISBN-13): 9783826599187
ISBN (ISBN-10): 3826599187
Taschenbuch
Herausgeber: Shaker Verlag GmbH
Buch in der Datenbank seit 2008-08-03T15:37:30+02:00 (Berlin)
Detailseite zuletzt geändert am 2018-02-17T07:52:49+01:00 (Berlin)
ISBN/EAN: 3826599187
ISBN - alternative Schreibweisen:
3-8265-9918-7, 978-3-8265-9918-7
Alternative Schreibweisen und verwandte Suchbegriffe:
Titel des Buches: rauschens, numerische simulation
Daten vom Verlag:
Autor/in: Stefan Decker
Titel: Berichte aus der Elektrotechnik; Numerische Simulation von Si/SiGe-Hochfrequenztransistoren unter besonderer Berücksichtigung des elektronischen Rauschens
Verlag: Shaker
176 Seiten
Gewicht: 0,264 kg
Sprache: Deutsch
48,80 € (DE)
50,20 € (AT)
97,60 CHF (CH)
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78 Abb.
BC; PB
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